國內(nèi)單片機(jī)開發(fā)公司英銳恩分享低功耗單片機(jī)開發(fā)COMS設(shè)計(jì)。低功耗單片機(jī)芯片開發(fā)中CMOS集成電路工作頻率的提高，芯片的功耗也就越大，要降低單片機(jī)芯片的功耗，可以通過延長工作時(shí)間需要提高電源性能或者在保證電路在一定的溫度范圍內(nèi)工作，單片機(jī)芯片有精確的封裝和良好的散熱性能。

EN系列單片機(jī)芯片采用低功耗特性CMOS 技術(shù)，低工作電流及待機(jī)電流，減少單片機(jī)芯片功耗。

先了解一下集成電路CMOS的定義：基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場效應(yīng)晶體管對(duì)管（見P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路和N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路）構(gòu)成，以推挽形式工作,能實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路。

過高的溫度損壞單片機(jī)芯片，所以單片機(jī)芯片在一定的溫度范圍內(nèi)工作，且需要精確的封裝和良好的散熱性能。單片機(jī)芯片功耗特別是功耗密度問題變得越來越突出，影響電路性能的關(guān)鍵問題。功耗密度的增加將引起芯片溫度升高，影響電路的可靠性，芯片溫度每升高10℃，器件壽命將減少一半。解決芯片發(fā)熱問題，需解決芯片封裝和冷卻問題。隨著各種微小型的便攜機(jī)和便攜式設(shè)備的發(fā)展，單片機(jī)芯片集成更小。

所以單片機(jī)開發(fā)中降低功耗是CMOS集成發(fā)展的需求。EN系列單片機(jī)開發(fā)設(shè)計(jì)會(huì)綜合考慮的CMOS設(shè)計(jì)。

單片機(jī)芯片中的功耗轉(zhuǎn)化成熱量釋放出來，而過多的熱量會(huì)導(dǎo)致工作溫度升高，繼而降低系統(tǒng)的可靠性，導(dǎo)致產(chǎn)品功能出現(xiàn)異常。單片機(jī)芯片功耗匹配相應(yīng)的芯片封裝，對(duì)于工作溫度較低的芯片，可采用成本較低的塑料封裝，而對(duì)于工作溫度較高的芯片，需要采用成本至少高上5-10美元的陶瓷封裝，以保證芯片不會(huì)被燒毀，另外溫度過高的芯片還需要強(qiáng)有力的空氣或者液冷散熱裝置，這些都會(huì)增加芯片成本。
        
針對(duì)不同領(lǐng)域的芯片，單片機(jī)芯片設(shè)計(jì)CMOS集成需求及芯片封裝需求不一樣，應(yīng)用在不同領(lǐng)域/產(chǎn)品上的單片機(jī)芯片可以直接咨詢國內(nèi)單片機(jī)開發(fā)公司英銳恩，給你最適合最經(jīng)濟(jì)的單片機(jī)芯片。